Описание и выбор ОЗУ

Все про выбор ОЗУ здесь

FAQ


Данный материал был размещен с целью предварения простейших вопросов, возникающих у неискушенного пользователя при выборе оперативной памяти.
Оперативная память (ОЗУ — оперативное запоминающее устройство) — память, предназначенная для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору команды и данные непосредственно, либо через кэш-память.
Современная память разделяется на 3 стандарта:
№1 DDR1.
№2 DDR2.
№3 DDR3.
Стандартное питающее напряжение:
Цитата:
DDR1: 2.5V ±0.2V
DDR2: 1.8V ±0.1V
DDR3: 1.5V ±0.075V
Часто задаваемые вопросы:
В: Что такое тайминги?
О: Тайминги - это задержки, возникающие при операциях доступа к содержимому памяти. Подобные задержки также ещё называют латентностью.
Обычно тайминги выстраиваются по схеме CAS – tRCD – tRP – tRAS - CMD Rate (1T/2T)
Например, 5-5-5-15-1Т.
Основным таймингом является CAS Latency (CL) - число циклов тактового сигнала между командой на чтение и началом считывания.
В: Какую память выбрать для установки на материнскую плату ####?
О: Прежде всего надо изучить руководство к мат.плате(обычно pdf версия есть и на сайте производителя). Здесь оговаривается тип поддерживаемой памяти, ограничения на объем, организацию и т.п.
Кроме того, здесь можно найти и так называемый QVL (Qualified Vendors List) - список протестированных модулей памяти, работа которых была проверена на данной модели материнской платы. Расширенный его список можно обнаружить на сайте производителя мат. платы (обычно в pdf формате).
Некоторые производители памяти (например, Micron) выкладывают информацию о проверенной совместимости их модулей с некоторыми мат. платами. Другие же (например, Kingston) предоставляют на своих сайтах специальные конфигураторы, с помощью которых можно подобрать память, совместимую с указанной мат. платой.
В: Возможно ли использование двух разных типов памяти на одной материнской плате?
О: Нет, в современных материнских платах не предусмотрена такая возможность, разве что некоторые материнские платы поддерживают два типа памяти (например ASRock 775Dual –VSTA, GA-P35C-DS3R), но они не подразумевают одновременную работу с разными типами памяти.
В: На каких чипах предпочтительней брать DDR2 память?
О: Тут всё зависит от того, что вы хотите получить от памяти, если разгон не планируется, то подойдёт память с любыми чипами.
Если разгон планируется, то к выбору надо подойти более внимательно, тут есть несколько вариантов:
Лучшими в разгоне являются чипы Micron D ревизии, самый сильный разгон демонстрирует Micron D9GMH (BH6-3). На этих чипах построена практически вся оверклокерская память. Екстрималы ставят напряжение на такую память вплоть до 3.0v (были случаи разгона D9GMH выше 1400MHz), для постоянного использования обычных планок безопасным является порог в 2.2-2.3V. Средний разгон при таком напряжении составляет 1200-1250MHz. У топовых планок c 8ми слойной PCB от OCZ и Corsair 2.4-2.5V Средний разгон при таком напряжении составляет 1250-1300MHz.
Вторыми можно считать чипы ProMos ревизии B, средний разгон составляет около 1150-1200 при 2.2V, при дальнейшем поднятии напряжения разгон падает.
Дальше по убыванию идут чипы Elpida и PSC (Powerchip). Примерный разгон около 1000MHz на 2.2V, так же как и ProMos не любят сильного повышения напряжения.
Не рекомендется брать память на чипах Samsung и Qimonda (Infineon), на напряжение выше 2.0V в большинстве случаев не реагирует, примерный разгон около 900MHz.
Интересны с точки зрения разгона чипы Hynix. Иногда на них добиваются лишь 900-940MHz при 2.0, иногда и 1100 – 1150MHz на 2.3V-2.4V. Сказать по этим чипам что либо сложно. Всё зависит от партии и вашего везения.
В: На каких бюджетных планках можно найти чипы Micron?
О: Crucial, SpecTek или Micron original.
В сети встречаются упоминания о "оверклокерской" памяти от таких брендов, как например Mushkin, Geil или Corsair, представляющей из себя бюджетные модули, произведенные компанией SpecTek.(одно из подразделений Crucial) с использованием хорошо разгоняемых микросхем, но дешевой PCB.
Обзоры памяти можно найти здесь.

FAQ Made by H&SS, информация взята с Форума 3DNews
и персональных страниц на Overclockers.ru


Скрытый текст:
В: Что такое tRAS?
О: Activate to Precharge Delay - минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти.
В: Что такое tRCD?
О: RAS to CAS Delay - задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца.
В: Что такое tRPD?
О: Row Precharge Delay - параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
В: Что значит «Буферизованная (Registered) память»?
О: Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе.
В: Что такое и на что влияет количество ранков?
О: Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк - область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые.
В: какая память считается низкопрофильной (Low Profile)?
О: Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты.
В: Что такое ECC?
О: Error Checking and Correction - алгоритм, позволяющий не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.
В: На что влияет упаковка чипов?
О: Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.
В: Какие различают форм-факторы оперативной памяти?
О: Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.


Любое обсуждение будет строго караться. Если вдруг нахлынуло вдохновение, можете поделится им в соответствующей теме раздела Обсуждение
Все благодарности в Л.С. или через систему репутации. За посты вида "Спасибо - это и возьму" и им подобные будет ставится флуд.

Прежде чем задать вопрос, прочтите хотя бы 60 последних сообщений -- это всего 3 странички.